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廣東芯片電容:?jiǎn)螌有酒娙莸闹苽浞椒?/h2>
2021-03-31 3650

  一、基片外觀(guān)檢查和吸水率檢測

  檢查介質(zhì)陶瓷基片是否表面色澤均勻、平整、無(wú)裂縫、毛刺等;一同,介質(zhì)陶瓷基片的吸水率應當處于為0.08%~0.35% 的范圍內。

  二、清洗陶瓷基片

  將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈;將陶瓷基片放入洗片盒子中,用無(wú)水酒精進(jìn)行清洗。超聲波電壓調為150±50V,清洗時(shí)間為20±2min,之后用棉簽悄悄擦洗陶瓷基片;再放入超聲波清洗機中進(jìn)行用清洗劑(濃度為5%)清洗,超聲波輸出電壓調150±50V,清洗時(shí)間為20±2min,有需要浸沒(méi)全部基片;然后,用去離子水清洗20±2min,在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗結束后,將基片取出。

  三、燒結

  將全部基片放入高溫爐中燒結,燒結溫度為600±100℃,保溫時(shí)間為60±30min。

  四、真空濺射

  設置濺射參數,對濺射機進(jìn)行腔體加熱,對濺射機進(jìn)行腔體加熱的溫度為150℃~400℃?;x用自轉和公轉方法,前進(jìn)膜厚致性,選用直流濺射的方法進(jìn)行濺射,一同選用在線(xiàn)監測體系,實(shí)時(shí)監測濺射膜厚。先濺射過(guò)渡層鈦鎢合金靶材,再濺射Au靶材,然后濺射N(xiāo)i靶材。其間,濺射過(guò)渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時(shí)間為100s~600s;濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時(shí)間為800s~1200s;濺射N(xiāo)i靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時(shí)間為2800s~3800s。真空濺射完結后,關(guān)掉加熱設備,待爐溫冷卻至少8h后,將基片取出。

廣東芯片電容

  五、熱處理

  將濺射完結的基片進(jìn)行真空熱處理,真空度高于10-2pa,真空熱處理溫度為200℃~700℃,熱處理時(shí)間為20~72h。

  六、切開(kāi)

  將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上,設置主軸的轉速和切開(kāi)速度進(jìn)行切開(kāi)。其間,主軸轉速設置為26000~34000轉/分,切開(kāi)速度設置為0.3~0.8mm/s;切開(kāi)時(shí)先進(jìn)行小樣切開(kāi),依據小樣產(chǎn)品電性能進(jìn)行切開(kāi)標準參數調整,前進(jìn)產(chǎn)品的命中率。切開(kāi)后除去邊角料;用酒精脫水,選用70℃~150℃的溫度,烘干時(shí)間設置為30min。

  七、分選

  對單層芯片電容進(jìn)行外觀(guān)、電容量和損耗分選,除去不合格品。

  八、對芯片電容進(jìn)行100%溫度沖擊和電壓處理選擇。

  九、包裝

  將產(chǎn)品裝入華夫托盤(pán)后進(jìn)行入盒包裝。

  這款單層芯片電容及其制備方法,在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測驗,在基片清洗工序后增加了基片燒結工序進(jìn)一步除去雜質(zhì),有用選擇了基片質(zhì)量和前進(jìn)了真空濺射工序電極附著(zhù)力。一同,在真空濺射關(guān)鍵工序中增加了在線(xiàn)測驗體系,有用操控了各種資料濺射層厚度,避免了設備參數動(dòng)搖帶來(lái)影響,前進(jìn)了產(chǎn)品的一致性和可靠性。在陶瓷金屬化過(guò)程中,選用全濺射方法,減少了電鍍工序帶來(lái)的影響。

       文章源自:廣東芯片電容 http://www.limeactivewear.com


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